Welches Speicherprinzip des Phasenwechselspeichers (PCM) ist richtig?

Antwort: B. Unterschied im Widerstand zwischen kristallinem und amorphem Zustand eines Chalkogenidmaterials

PCM erhitzt Chalkogenidmaterialien wie GeSbTe durch Joulesche Wärme des Stroms und kühlt sie rasch ab, um zwischen dem niederohmigen kristallinen und dem hochohmigen amorphen Zustand umzuschalten. Der Widerstandsunterschied ist mit zwei bis drei Größenordnungen groß, und durch Zwischenwerte ist auch Mehrbit-Speicherung (Multi-Level) möglich. Dasselbe Material nutzt die unterschiedliche Reflektivität von kristallin und amorph auch bei wiederbeschreibbaren DVDs und Blu-rays. Eine Herausforderung ist der hohe Schreibstrom.