DRAM
DRAM의 워드라인을 구동하는 전압으로 전원 전압보다 높은 승압 전압(VPP)이 사용되는 주된 이유는?
- A리프레시를 불필요하게 하기 위해
- B셀 트랜지스터의 문턱 전압만큼 전압이 떨어지지 않도록 하여, 커패시터에 충분한 전압으로 쓰기 위해
- C비트라인의 전압을 낮추기 위해
정답과 해설 보기
정답: B. 셀 트랜지스터의 문턱 전압만큼 전압이 떨어지지 않도록 하여, 커패시터에 충분한 전압으로 쓰기 위해
셀 트랜지스터는 nMOS이므로 게이트가 전원 전압 그대로라면 커패시터에는 Vth만큼 낮은 전압밖에 쓸 수 없습니다. 워드라인을 전원 전압보다 Vth 이상 높은 VPP(예: 약 2.5~3 V)로 구동하면, 커패시터에 완전한 「1」의 전압을 쓸 수 있어 읽기 마진을 확보합니다. VPP는 칩 내의 차지 펌프로 만들어지며, 게이트 절연막은 이 전압을 견디는 두께로 설계됩니다.
- A. 승압해도 리프레시는 필요합니다.
- B. 올바릅니다. 문턱 전압에 의한 전압 강하를 피하기 위해서입니다.
- C. 비트라인의 전압을 낮추려는 목적이 아닙니다.