배선 공정

첨단 로직에서 도입이 진행되고 있는 후면 전원 공급(백사이드 파워 딜리버리)에 대한 설명으로 올바른 것은?

  1. A전원을 칩 외부에서 공급하지 않는 방식
  2. B모든 배선을 광섬유로 대체하는 방식
  3. C전원 배선을 웨이퍼의 뒷면 쪽에 배치하고 앞면의 배선을 신호용으로 쓸 수 있게 하여 전압 강하와 배선 혼잡을 줄이는 방식
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정답: C. 전원 배선을 웨이퍼의 뒷면 쪽에 배치하고 앞면의 배선을 신호용으로 쓸 수 있게 하여 전압 강하와 배선 혼잡을 줄이는 방식

종래에는 신호 배선과 전원 배선을 모두 트랜지스터의 위쪽(앞면 쪽)에 만들었고, 전원은 10층 이상의 배선과 비아를 거쳐 아래까지 내려갔습니다. 후면 전원 공급에서는 웨이퍼를 수백 nm~수 µm까지 얇게 하여 뒷면에 굵은 전원 배선을 두고 트랜지스터에 아래에서 전원을 공급합니다. 전압 강하가 줄고 앞면 쪽 배선을 신호에 쓸 수 있어 셀을 작게 만들 수 있습니다. Intel의 PowerVia(18A)와 TSMC의 A16 등에서 도입되고 있습니다.

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