Quelle expression donne correctement la résistance de sortie petit signal ro d’un MOSFET en saturation, en fonction du coefficient de modulation de longueur de canal λ et du courant de drain ID ?

Réponse : A. ro ≈ 1 / (λ × ID)

En tenant compte de la modulation de longueur de canal, le courant de drain en saturation augmente légèrement avec VDS sous la forme ID(1 + λVDS), et l’inverse de cette pente est la résistance de sortie ro ≈ 1/(λID). λ étant à peu près inversement proportionnel à la longueur du canal, doubler L double environ ro. Le gain en tension maximal d’un transistor seul vaut gm·ro, qui n’atteint qu’environ 10 à 20 pour les transistors fins ; on obtient donc le gain par des montages cascode ou multi-étages.