Différence de potentiel présente dans la zone de déplétion d'une jonction PN sans tension appliquée. Environ 0,6 à 0,8 V pour le silicium, elle constitue une barrière qui arrête la diffusion des porteurs.
Nom japonais: 内蔵電位
« Potentiel de diffusion (built-in potential) » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Jonction PN et diodes.
Domaine: Jonction PN et diodes
Réponse : C. Il augmente quand la concentration d'impuretés augmente
Le potentiel interne vaut Vbi = (kT/q)·ln(NA·ND/ni²) : il augmente avec les concentrations d'impuretés des deux côtés. L'effet étant logarithmique, multiplier la concentration par 10 ne l'augmente que d'environ 60 mV ; dans le silicium, il vaut généralement 0,6 à 0,9 V environ. Il ne peut pas être mesuré de l'extérieur avec un voltmètre (il est compensé par les potentiels de contact des électrodes) ; il sert d'ordre de grandeur de la tension directe et au calcul de la largeur de déplétion. Plus la bande interdite du matériau est grande, plus ni est faible et plus Vbi est élevé.
Ouverture numérique (NA) Contact Bande interdite (bandgap) Capacité de diffusion Capacité de jonction (capacité de déplétion) Claquage par avalanche Contact ohmique Diode Schottky Diode tunnel (diode Esaki) Diode Zener