Diode utilisant une jonction métal-semi-conducteur (jonction Schottky). Tension directe faible et absence de stockage de porteurs minoritaires, d'où une commutation rapide.
Nom japonais: ショットキーバリアダイオード
« Diode Schottky » apparaît dans 5 questions d'entraînement réparties sur 3 thèmes, dont Transistors bipolaires, Semi-conducteurs de puissance, Lire une fiche technique.
Domaine: Jonction PN et diodes
Réponse : C. Le temps nécessaire pour évacuer l'excès de porteurs minoritaires stockés dans la base
En saturation, la jonction base-collecteur est aussi en direct, et un excès de porteurs minoritaires s'accumule dans la base et le collecteur. Même lorsqu'on commande le blocage, le courant de collecteur continue de circuler jusqu'à ce que ces porteurs soient extraits ou recombinés (temps de stockage ts). Les parades consistent à empêcher la saturation profonde par une diode Schottky de clampage, à extraire rapidement la charge par un courant de base inverse (condensateur d'accélération, etc.) et à éviter la surcommande de la base.
Réponse : B. Empêcher la saturation profonde du transistor, réduire la charge stockée et accélérer la commutation
La diode Schottky conduit à environ 0,3 V, une tension inférieure à celle d'une jonction PN (environ 0,7 V). Elle dérive donc l'excès de courant de base avant que la jonction base-collecteur ne soit fortement polarisée en direct, empêchant le transistor d'entrer en saturation profonde. Les porteurs minoritaires stockés dans la base diminuent et le blocage est plus rapide ; ce principe a servi à accélérer et à réduire la consommation des séries 74S et 74LS (TTL Schottky). VCE(sat) est légèrement plus élevée, environ 0,4 V.
Les parades consistent à empêcher la saturation profonde par une diode Schottky de clampage, à extraire rapidement la charge par un courant de base inverse (condensateur d'accélération, etc.) et à éviter la surcommande de la base.
Lorsqu'on bloque un transistor de commutation depuis un éta…La diode Schottky conduit à environ 0,3 V, une tension inférieure à celle d'une jonction PN (environ 0,7 V).
Quel est l'objectif d'un transistor muni d'une diode à barr…Les remèdes incluent des couches tampons qui convertissent, en cours de croissance épitaxiale, les dislocations du plan basal en un autre type de dislocation, ou l'intégration d'une diode Schottky pour ne pas dépendre de la diode de corps.
Quelle cause connue peut dégrader les caractéristiques d'un…L'effet croissant avec la tension et le courant, remplacer la diode par une diode Schottky SiC à faible recouvrement réduit fortement les pertes à la mise en conduction de l'interrupteur.
Lorsqu'un interrupteur d'un onduleur devient passant, quell…La diode Schottky fonctionnant avec des porteurs majoritaires, elle ne présente presque pas de recouvrement inverse.
Quelle affirmation est correcte au sujet du temps de recouv…SiC (carbure de silicium) Croissance épitaxiale Temps de recouvrement inverse Capacité de diffusion Capacité de jonction (capacité de déplétion) Claquage par avalanche Contact ohmique Diode tunnel (diode Esaki) Diode Zener Facteur d'idéalité