Die Potenzialdifferenz über der Raumladungszone eines PN-Übergangs, auch ohne äußere Spannung. Bei Silizium etwa 0,6 bis 0,8 V; sie bildet die Barriere, die weitere Ladungsträgerdiffusion stoppt.
Japanische Bezeichnung: 内蔵電位
Fachgebiet: PN-Übergänge und Dioden
Diffusionskapazität (diffusion capacitance) Durchlassrichtung (Flussspannung anlegen) Idealitätsfaktor (ideality factor) Lawinendurchbruch Leitfähigkeitsmodulation (conductivity modulation) Ohmscher Kontakt (ohmic contact) Raumladungszone (Sperrschicht) Schottky-Diode (Schottky barrier diode) Sperrschichtkapazität (Verarmungskapazität, junction capacitance) Sperrverzögerungszeit (reverse recovery time)