Diode à jonction PN très fortement dopée des deux côtés, présentant en direct une zone de résistance négative due à l'effet tunnel. Découverte en 1957 par Leo Esaki.
Nom japonais: トンネルダイオード(エサキダイオード)
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Domaine: Jonction PN et diodes
Réponse : C. Diode tunnel (diode Esaki)
La diode tunnel est une jonction PN dopée des deux côtés jusqu'à la dégénérescence ; sa zone de déplétion étant très mince, un courant tunnel circule dès une faible tension directe. Lorsque la tension augmente, les énergies des électrons du côté n et des niveaux vacants du côté p se décalent, le courant tunnel diminue et une région de résistance négative apparaît. Découverte en 1957 par Leo Esaki, lauréat du prix Nobel de physique en 1973, elle fut la première démonstration de l'effet tunnel dans un composant électronique.
La diode tunnel est une jonction PN dopée des deux côtés jusqu'à la dégénérescence ; sa zone de déplétion étant très mince, un courant tunnel circule dès une faible tension directe.
Quelle diode, formée d'une jonction PN très fortement dopée…Zone de déplétion (zone de charge d'espace) Capacité de diffusion Capacité de jonction (capacité de déplétion) Claquage par avalanche Contact ohmique Diode Schottky Diode Zener Facteur d'idéalité Modulation de conductivité Polarisation directe