SRAM und Flash-Speicher

Welches Verfahren schreibt bei NAND-Flash, indem Schreibpulse mit schrittweise erhöhter Spannung wiederholt werden und dabei jedes Mal die Schwellenspannung geprüft wird?

  1. AECC
  2. BISPP (Incremental Step Pulse Programming)
  3. CTRIM
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: B. ISPP (Incremental Step Pulse Programming)

Beim ISPP werden Schreibpulse beginnend z. B. bei etwa 15 V mit jeweils um einige hundert mV erhöhter Spannung angelegt und jedes Mal die Schwellenspannung geprüft (Verify). Zellen, die das Ziel erreicht haben, stoppen das Schreiben durch Anheben des Bitleitungspotenzials, sodass sich die Verteilung der Schwellenspannung auch bei streuenden Zellen eng angleichen lässt. Je kleiner der Schritt, desto enger die Verteilung, aber desto länger dauert es; es ist ein Zielkonflikt zwischen Mehrbit-Speicherung und Geschwindigkeit.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu SRAM und Flash-Speicher

  1. Welcher Befehl teilt der SSD die vom Betriebssystem gelöschten Dateibereiche mit und macht die Garbage Collection effizienter?
  2. Welcher nichtflüchtige Speicher wurde zur Ablage von Mikrocontrollerprogrammen auf demselben Chip wie die Logikschaltung integriert?
  3. Welche Reihenfolge von SLC, MLC und TLC nach der Zahl der Schreibzyklen, von der höchsten an, ist richtig?
  4. Welche Eigenschaft von Flash-Speichern ist richtig?
  5. Welcher Speicher wird hauptsächlich in USB-Sticks und SD-Karten verwendet?

Vergleiche zu diesem Thema