SRAM und Flash-Speicher

Beim Schreiben in eine SRAM-Zelle wird eine der Bitleitungen auf 0 V gezogen, um den Zustand der Zelle umzukehren. Welche Bedingung an den Zugriffstransistor ist dabei richtig?

  1. AEr muss eine ausreichend stärkere Treiberfähigkeit als der Pull-up-Transistor (pMOS) in der Zelle haben
  2. BEr muss eine schwächere Treiberfähigkeit als jeder Transistor in der Zelle haben
  3. CEr muss stets gesperrt bleiben
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Antwort: A. Er muss eine ausreichend stärkere Treiberfähigkeit als der Pull-up-Transistor (pMOS) in der Zelle haben

Beim Schreiben wird der Speicherknoten über den Zugriffstransistor auf 0 gezogen und muss den Pull-up-pMOS überwinden, der die 1 halten will; der Zugriffstransistor wird daher ausreichend stärker als der pMOS ausgelegt (Pull-up-Verhältnis). Für die Stabilität beim Lesen muss er dagegen schwächer als der Pull-down-nMOS sein (Zellverhältnis); das Gleichgewicht der Treiberfähigkeiten dieser drei ist der Kern des SRAM-Entwurfs.

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