Français
Menu

Matériaux de procédé (gaz et produits chimiques)

Quels gaz sont principalement utilisés pour la gravure sèche de l'oxyde de silicium (SiO2) ?

  1. AUniquement l'azote
  2. BUniquement l'hélium
  3. CDes gaz fluorocarbonés comme le CF4 ou le C4F8
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : C. Des gaz fluorocarbonés comme le CF4 ou le C4F8

La gravure sèche du SiO2 utilise un plasma de gaz fluorocarbonés comme le CF4 ou le C4F8. Le fluor se combine au Si pour former du SiF4 volatil, et le carbone forme avec l'oxygène du film du CO ou du CO2, évacués par pompage. L'azote ou l'hélium seuls ne provoquent aucune réaction chimique et ne gravent pas le film. Ces gaz ayant un potentiel de réchauffement global plusieurs milliers de fois supérieur à celui du CO2, ils sont décomposés dans des systèmes d'abattement avant rejet.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Matériaux de procédé (gaz et produits chimiques)

  1. Quelle description de la cible utilisée en pulvérisation cathodique est correcte ?
  2. Quelle combinaison de constituants principaux d'une résine photosensible à amplification chimique est correcte ?
  3. Quelle caractéristique de la phosphine (PH3) et de l'arsine (AsH3), utilisées pour introduire des impuretés de type n, est correcte ?
  4. Quel est l'usage principal du trifluorure d'azote (NF3) ?
  5. Quelles unités utilise-t-on couramment pour exprimer la concentration d'impuretés des gaz et produits chimiques de haute pureté pour semi-conducteurs ?