矽氧化膜（SiO2）的乾式蝕刻主要使用的氣體為下列何者？

正確答案：C. CF4或C4F8等氟碳化物系氣體

SiO2的乾式蝕刻使用CF4或C4F8等氟碳化物氣體的電漿。氟與Si結合成為揮發性的SiF4，碳則與膜中的氧形成CO或CO2而被排出。僅用氮氣或氦氣不會發生化學反應，無法蝕刻薄膜。這些氣體的全球暖化潛勢是CO2的數千倍以上，因此使用後要以除害裝置分解後再排放。