Welke uitspraak over de IGBT is juist?

Antwoord: B. Een component die met een MOS-gate wordt aangestuurd en door geleidbaarheidsmodulatie via bipolaire werking een lage aan-spanning krijgt

Een IGBT is een component die de ingang van een MOSFET combineert met de uitgang van een bipolaire transistor, met een extra p+-laag aan de drainzijde. Hij wordt met spanning aangestuurd, zodat de aandrijfschakeling eenvoudig is, en in de aan-toestand verlagen de vanuit de p+-laag geïnjecteerde gaten de weerstand van de driftlaag sterk (geleidbaarheidsmodulatie), waardoor de aan-spanning ook bij hoge doorslagspanningen van 600 V tot 6,5 kV laag kan zijn. Hij is de hoofdcomponent in EV’s, spoorwegen en industriële omvormers, maar is vanwege de staartstroom minder geschikt voor hoge frequenties.