Quelle est la principale raison pour laquelle le SiC (carbure de silicium) est plus avantageux que le Si pour les composants de puissance haute tension ?

Réponse : A. Son champ de claquage est environ 10 fois plus élevé que celui du Si

Le SiC a une grande bande interdite, d'environ 3,3 eV, et un champ de claquage environ 10 fois supérieur à celui du Si (environ 3 MV/cm). Pour une même tenue en tension, la couche de dérive peut être environ 10 fois plus mince et environ 100 fois plus dopée, si bien que sa résistance est théoriquement divisée par plusieurs centaines. Sa conductivité thermique, environ 3 fois celle du Si, le rend résistant aux hautes températures, et son adoption s'étend notamment aux onduleurs de VE. En revanche, ses plaquettes sont plus chères que celles du Si, et le passage aux grands diamètres (8 pouces) est encore en cours.