Lorsqu’on forme par oxydation thermique du silicium un film de SiO2 d’épaisseur x, quelle épaisseur de silicium est approximativement consommée ?

Réponse : A. Environ 0.44x

En oxydation thermique, le silicium lui-même réagit avec l’oxygène pour former SiO2. Le rapport entre la densité atomique du silicium (environ 5.0×10²² cm⁻³) et la densité moléculaire de SiO2 (environ 2.3×10²² cm⁻³) montre que former un oxyde d’épaisseur x consomme environ 0.44x de silicium. Environ 44% de l’oxyde croît sous la surface initiale et 56% au-dessus, avec une expansion de volume d’environ 2.2 fois. La zone oxydée forme donc une marche, et l’interface est toujours une surface nouvelle et propre.