Français
Menu

MOSFET

Quelle est la condition généralement retenue de « forte inversion » pour définir la tension de seuil d’un MOSFET ? (φF : potentiel de Fermi)

  1. ALe potentiel de surface vaut −φF
  2. BLe potentiel de surface vaut 2φF (la densité de porteurs minoritaires en surface égale la densité de porteurs majoritaires du substrat)
  3. CLe potentiel de surface est nul
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. Le potentiel de surface vaut 2φF (la densité de porteurs minoritaires en surface égale la densité de porteurs majoritaires du substrat)

Le début de la forte inversion est généralement défini comme le moment où le potentiel de surface atteint 2φF, c’est-à-dire où la densité d’électrons en surface égale la densité de trous dans le volume du substrat. La tension de grille correspondante est la tension de seuil, Vth = VFB + 2φF + √(2εqNA·2φF)/Cox. En pratique, Vth est déterminée par la tension de grille donnant un courant fixé (méthode à courant constant) ou par extrapolation de la partie linéaire de la courbe ID-VG ; la valeur diffère donc légèrement selon la définition.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur MOSFET

  1. Quelle est la condition de mise en conduction d’un MOSFET à canal n à enrichissement ? (VGS : tension grille-source, Vth : tension de seuil)
  2. Si l’on amincit uniquement l’isolant de grille sans changer son matériau ni sa surface, comment évolue la capacité de grille par unité de surface ?
  3. Pourquoi la consommation statique (en régime établi) d’un inverseur CMOS est-elle faible ?
  4. Lorsqu’un MOSFET à canal long fonctionne en régime de saturation, à quoi le courant de drain ID est-il approximativement proportionnel ? (VGS : tension grille-source, Vth : tension de seuil)
  5. À dimensions égales, un nMOS fournit généralement plus de courant qu’un pMOS. Quelle en est la raison principale ?

Comparatifs sur ce thème