Lors de l’élimination d’une couche sacrificielle de SiO2 pour libérer une structure MEMS, quelle méthode est appropriée pour éviter la stiction ?

Réponse : C. Gravure en phase vapeur par vapeur d’acide fluorhydrique (HF)

Si la couche sacrificielle est retirée à l’acide fluorhydrique liquide, la tension superficielle du liquide restant entre la partie mobile et le substrat lors du séchage peut attirer la structure et la coller. La gravure en phase vapeur par vapeur de HF n’utilise pas de liquide et ne produit donc pas cette force. On contrôle la réaction en ajoutant un peu d’humidité ou d’alcool, et on gère la température pour que l’eau produite par la réaction ne se condense pas. Le séchage au dioxyde de carbone supercritique, qui supprime l’interface liquide-gaz, prévient aussi ce problème.