Welke methode is geschikt om stiction te voorkomen wanneer een opofferingslaag van SiO2 wordt verwijderd om een MEMS-structuur los te maken?

Antwoord: C. Dampfase-etsen met waterstoffluoridedamp (HF)

Wanneer de opofferingslaag met vloeibaar fluorwaterstofzuur wordt verwijderd, kan de structuur bij het drogen door de oppervlaktespanning van de tussen bewegend deel en substraat achtergebleven vloeistof naar beneden worden getrokken en blijven plakken. Bij dampfase-etsen met HF-damp wordt geen vloeistof gebruikt, zodat deze kracht niet optreedt. De reactie wordt gestuurd door een kleine hoeveelheid water of alcohol toe te voegen, en de temperatuur wordt beheerst zodat het bij de reactie gevormde water niet condenseert. Ook drogen met superkritisch kooldioxide voorkomt hetzelfde probleem doordat de grens tussen vloeistof en gas verdwijnt.