MEMS・センサ

SiO2の犠牲層を除去してMEMS構造を浮かせるとき、スティクションを防ぐために使われる方法として適切なものはどれか。

  1. A大量の水で洗い流し、自然乾燥させる
  2. B研磨して除去する
  3. Cフッ化水素(HF)の蒸気による気相エッチング
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正解：C. フッ化水素(HF)の蒸気による気相エッチング

液体のフッ酸で犠牲層を除去すると、乾燥時の表面張力で可動部が基板に張り付くことがあります。HFの蒸気を使った気相エッチングでは液体を使わないため、表面張力による張り付きを防げます。超臨界二酸化炭素による乾燥も同じ目的で使われます。

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