Quel est le principal objectif d'une couche de capping en cobalt, etc. sur la face supérieure des interconnexions en Cu ?

Réponse : C. Limiter le déplacement des atomes le long de la surface du Cu et améliorer la résistance à l'électromigration

L'électromigration dans les interconnexions en Cu progresse principalement par déplacement des atomes le long de l'interface entre la face supérieure et le film de capping diélectrique. Recouvrir sélectivement la face supérieure d'un capping métallique en cobalt, etc. renforce la liaison à l'interface, rend les atomes moins mobiles et peut allonger la durée de vie d'un ordre de grandeur ou plus. Le capping est formé par dépôt sélectif uniquement sur les interconnexions ; s'il se dépose sur l'isolant, il crée des fuites entre interconnexions, d'où l'importance de la sélectivité.