Français
Menu

Mémoires émergentes

Que représente le « M » de MRAM ?

  1. AMicro (minuscule)
  2. BMagnetoresistive (magnétorésistif)
  3. CMulti-level (multiniveau)
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : B. Magnetoresistive (magnétorésistif)

MRAM est l'abréviation de Magnetoresistive Random Access Memory : l'information est lue grâce à l'effet magnétorésistif, par lequel la résistance varie selon l'orientation de l'aimantation. Dans les années 1990, l'AMR (magnétorésistance anisotrope) et la GMR (magnétorésistance géante) étaient utilisées, mais c'est le développement de la TMR (magnétorésistance tunnel), à plus grand écart de résistance, qui l'a rendue pratique. La découverte de la GMR a été récompensée par le prix Nobel de physique 2007 et a fortement contribué à l'augmentation de capacité des HDD.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Mémoires émergentes

  1. Quel est le concept de « mémoire universelle », objectif de nombreux travaux sur les mémoires de nouvelle génération ?
  2. Que représente le « Fe » de FeRAM ?
  3. Comment appelle-t-on la structure, utilisée comme élément mémorisant 1 bit en MRAM, constituée d'une fine couche isolante prise entre deux couches magnétiques ?
  4. Quelle est la définition du taux de magnétorésistance tunnel (taux TMR) d'une MTJ ?
  5. Quelle est la relation entre les résistances d'une MTJ lorsque les aimantations des deux couches magnétiques sont parallèles et lorsqu'elles sont antiparallèles ?

Comparatifs sur ce thème