DRAM

DRAM 셀의 데이터 유지 시간을 결정하는 주된 누설 경로로 올바른 것은?

  1. A셀 트랜지스터의 서브스레숄드 누설이나 접합 누설
  2. B빛에 의한 전하 발생
  3. C자기장에 의한 전하 이동
정답과 해설 보기

정답: A. 셀 트랜지스터의 서브스레숄드 누설이나 접합 누설

커패시터의 전하는 주로 오프 상태 셀 트랜지스터의 서브스레숄드 누설과, 스토리지 노드의 접합을 흐르는 누설(GIDL이나 결함을 통한 생성 전류 포함)로 소실됩니다. 유지 시간은 셀마다 편차가 있으며, 극소수의 약한 셀(테일)이 리프레시 주기를 결정합니다. 그래서 매립 게이트로 전계를 완화하거나 결함을 줄여 가장 약한 셀의 누설을 억제하는 것이 중요합니다.

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