DRAM

DRAM의 읽기 동작의 특징으로 올바른 것은?

  1. A읽어도 셀의 전하는 전혀 변하지 않는다
  2. B읽기로 셀의 전하가 변하기 때문에 센스 앰프로 증폭한 뒤 셀에 다시 쓴다
  3. C읽기에는 고전압에 의한 터널 전류를 사용한다
정답과 해설 보기

정답: B. 읽기로 셀의 전하가 변하기 때문에 센스 앰프로 증폭한 뒤 셀에 다시 쓴다

셀의 커패시터를 비트라인에 연결하면 전하가 비트라인의 큰 기생 용량과 나뉘어 원래 상태가 파괴됩니다(파괴 읽기). 그래서 센스 앰프로 수십~백수십 mV의 차이를 증폭해 0/1을 판정함과 동시에, 증폭된 전압으로 셀에 다시 씁니다. 이 재기록이 실질적으로 리프레시와 같은 역할을 하기 때문에, 리프레시는 행을 활성화했다가 닫는 동작으로 이루어집니다.

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