Welcher Vorteil ergibt sich daraus, auf einem InP-Substrat InGaAs mit angepasster Zusammensetzung gitterangepasst aufzuwachsen?

Antwort: B. Durch die Angleichung der Gitterkonstanten erhält man hochwertige Kristalle mit wenigen Versetzungen

Durch Anpassung der Zusammensetzung, etwa bei In0,53Ga0,47As, lässt sich die Gitterkonstante von InGaAs nahezu der von InP (ca. 0,587 nm) angleichen (Gitteranpassung). Stimmen die Gitterkonstanten überein, entstehen kaum Verspannungen und Versetzungen, und selbst dicke Schichten ergeben hochwertige Kristalle. InGaAs dieser Zusammensetzung hat eine Bandlücke von etwa 0,75 eV, kann bis 1,7 µm absorbieren und eignet sich ideal für Photodetektoren der optischen Kommunikation; mit einer Elektronenbeweglichkeit von etwa 10000 cm²/V·s wird es auch in HEMTs verwendet.