Welcher Vorteil ergibt sich bei Hochfrequenz-ICs aus GaAs durch die Verwendung halbisolierender GaAs-Substrate?

Antwort: A. Der Substratwiderstand ist sehr hoch, und parasitäre Kapazitäten sowie Signalverluste sind gering

GaAs lässt sich durch Kompensation von Kohlenstoffverunreinigungen mit Defekten, die tiefe Niveaus bilden (EL2), zu einem halbisolierenden Substrat mit einem spezifischen Widerstand von 10⁷ Ω·cm oder mehr machen. Signalverluste über das Substrat und parasitäre Kapazitäten sind klein, die Isolation zwischen Transistoren ist einfach, und auch passive Bauelemente wie Induktivitäten und Übertragungsleitungen lassen sich verlustarm auf demselben Substrat herstellen. Bei Silizium wird die Leitfähigkeit des Substrats zu einem Hochfrequenzverlust, weshalb SOI oder hochohmige Substrate zum Einsatz kommen.