Welche Aussage zum üblichen Durchmesser von Verbindungshalbleiter-Wafern wie GaAs ist richtig?

Antwort: C. Kleinere Durchmesser als bei Siliziumwafern (etwa 150 mm oder weniger) sind vorherrschend

Bei Verbindungshalbleitern ist es schwierig, große, defektarme Einkristalle herzustellen, da das Verhältnis von zwei oder mehr Elementen genau eingehalten werden muss und das Wachstum unter hohem Druck erfolgen muss, damit Arsen und Phosphor nicht verdampfen; üblich sind etwa 150 mm bei GaAs und 100 bis 150 mm bei InP. Gegenüber den 300 mm von Silizium lassen sich pro Wafer weniger Chips gewinnen, und die Anlagen sind spezialisiert, sodass die Kosten höher liegen. Bei GaN-on-Si und SiC schreitet der Übergang auf 200 mm voran.