Welche Substrate werden bei GaN-Bauelementen üblicherweise zum Aufwachsen der GaN-Schicht verwendet?

Antwort: B. Fremdsubstrate wie Saphir, SiC oder Si

GaN zersetzt sich leicht auch bei hoher Temperatur und hohem Druck, und Kristalle lassen sich nicht aus der Schmelze ziehen; große, preisgünstige GaN-Substrate sind daher schwer herzustellen, und GaN wird epitaktisch auf Substraten aus anderen Materialien aufgewachsen. Bei LEDs wird häufig das preiswerte, transparente Saphir verwendet, bei Hochfrequenzbauelementen das gut wärmeleitende SiC und bei Leistungsbauelementen das großformatige, preisgünstige Si. Entscheidend ist die Technik von Pufferschichten, die Defekte und Verbiegung durch Unterschiede in Gitterkonstante und Wärmeausdehnung unterdrücken.