Nederlands
Menu

Bipolaire transistor

Welke richtwaarde voor de basis-emitterspanning VBE van een bipolaire siliciumtransistor in het actieve gebied is juist?

  1. ACirca 0,6 tot 0,7 V
  2. BCirca 0,1 V
  3. CCirca 3 V
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Circa 0,6 tot 0,7 V

Tussen basis en emitter zit een pn-overgang van silicium, zodat de spanning in het actieve gebied circa 0,6 tot 0,7 V is en bij het ontwerp vaak met VBE ≈ 0,7 V wordt gerekend. Nauwkeuriger is IC ∝ exp(VBE/VT): bij tienmaal zoveel stroom neemt VBE met circa 60 mV toe en bij 1 ℃ temperatuurstijging daalt hij met circa 2 mV. Deze eigenschap wordt benut om VBE zelf te gebruiken in temperatuursensoren en referentiespanningsschakelingen (bandgapreferentie).

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Hoeveel bedraagt het collectorverlies van een transistor die werkt bij een collector-emitterspanning van 5 V en een collectorstroom van 100 mA?
  2. Welke uitspraak over het verschil in sturing tussen een bipolaire transistor en een MOSFET is juist?
  3. Hoeveel bedraagt de grootte van de spanningsversterking van een gemeenschappelijke-emitterversterker ongeveer bij steilheid gm = 40 mS en collectorweerstand RC = 5 kΩ? (de belasting wordt verwaarloosd)
  4. Welke toestand van de overgangen is juist wanneer een bipolaire transistor in het verzadigingsgebied is?
  5. Welke uitspraak over het actieve gebied is juist als de uitgangskarakteristiek (IC-VCE) van een transistor in gemeenschappelijke-emitterschakeling met de basisstroom IB als parameter wordt getekend?

Vergelijkingen bij dit onderwerp