Bipolartransistor

Welcher Richtwert gilt für die Basis-Emitter-Spannung VBE eines im aktiven Bereich betriebenen Silizium-Bipolartransistors?

  1. AEtwa 0,6 bis 0,7 V
  2. BEtwa 0,1 V
  3. CEtwa 3 V
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Antwort: A. Etwa 0,6 bis 0,7 V

Da zwischen Basis und Emitter ein Silizium-pn-Übergang liegt, beträgt die Spannung im aktiven Bereich etwa 0,6 bis 0,7 V; im Entwurf wird häufig mit VBE ≈ 0,7 V gerechnet. Genauer gilt IC ∝ exp(VBE/VT): Bei zehnfachem Strom steigt VBE um etwa 60 mV, und pro 1 °C Temperaturanstieg sinkt es um etwa 2 mV. Diese Eigenschaft wird genutzt, um VBE selbst als Temperatursensor oder in Referenzspannungsschaltungen (Bandgap-Referenz) zu verwenden.

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