Eine durch die Gate-Spannung an der Halbleiteroberfläche gebildete Schicht, in der sich Ladungsträger des dem Substrat entgegengesetzten Typs sammeln. Sie wird zum Kanal des MOSFET.
Japanische Bezeichnung: 反転層
Fachgebiet: MOSFET
CMOS DIBL Einsatzspannung (Schwellenspannung) Flachbandspannung (flat-band voltage) Geschwindigkeitssättigung (velocity saturation) GIDL (gateinduzierter Drain-Leckstrom, gate-induced drain leakage) Kanallängenmodulation (channel-length modulation) Kurzkanaleffekt LDD-Struktur (LDD structure) Punch-Through