Was ist Kurzkanaleffekt?
Phänomene, bei denen mit schrumpfender Gate-Länge das elektrische Feld des Drains die Einsatzspannung senkt und den Leckstrom im Sperrzustand erhöht.
Japanische Bezeichnung: 短チャネル効果
Fachgebiet: MOSFET
Phänomene, bei denen mit schrumpfender Gate-Länge das elektrische Feld des Drains die Einsatzspannung senkt und den Leckstrom im Sperrzustand erhöht.
Japanische Bezeichnung: 短チャネル効果
Fachgebiet: MOSFET
CMOS DIBL Einsatzspannung (Schwellenspannung) Flachbandspannung (flat-band voltage) Geschwindigkeitssättigung (velocity saturation) GIDL (gateinduzierter Drain-Leckstrom, gate-induced drain leakage) Inversionsschicht Kanallängenmodulation (channel-length modulation) LDD-Struktur (LDD structure) Punch-Through