Siliziumwafer

Welche Reihenfolge der Prozesse zur Herstellung von Wafern aus einem Einkristall-Ingot ist am besten geeignet?

  1. ASägen → Läppen (Schleifen) → Ätzen → Spiegelpolieren
  2. BSpiegelpolieren → Sägen → Ätzen → Läppen
  3. CÄtzen → Spiegelpolieren → Sägen → Läppen
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Antwort: A. Sägen → Läppen (Schleifen) → Ätzen → Spiegelpolieren

Der Außenumfang des Ingots wird auf einheitlichen Durchmesser geschliffen, der Notch eingearbeitet und der Ingot mit einer Mehrdrahtsäge in Scheiben von knapp unter 1 mm Dicke geschnitten (Sägen). Nach dem Kantenabrunden werden Dicke und Ebenheit durch Läppen oder Schleifen eingestellt, die bei der Bearbeitung entstandene Schadensschicht von einigen zehn µm durch Ätzen entfernt und schließlich durch Doppelseitenpolieren und Endpolieren eine Spiegelfläche nahezu auf atomarem Niveau erzeugt. Danach folgen Reinigung und Inspektion, und der Wafer wird in einem sauberen Behälter (FOUP) ausgeliefert.

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