Leistungshalbleiter

Welches Problem erfordert beim schnellen Schalten von SiC- und GaN-Leistungsbauelementen besondere Gegenmaßnahmen?

  1. ARauschen (EMI) und Überspannungen durch schnelle Spannungs- und Stromänderungen
  2. BDass das Bauelement leuchtet
  3. CDass das Schalten zu langsam wird
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Antwort: A. Rauschen (EMI) und Überspannungen durch schnelle Spannungs- und Stromänderungen

SiC und GaN schalten mit steilen Spannungsänderungen (dv/dt) und Stromänderungen (di/dt) von einigen zehn V/ns bis 100 V/ns, sodass durch parasitäre Induktivitäten der Leitungen leicht Überspannungen und durch Ströme über parasitäre Kapazitäten elektromagnetisches Rauschen (EMI) entstehen. Nötig sind Gegenmaßnahmen wie kurze, breite Leitungen zur Verringerung der parasitären Induktivität, Anpassung der Geschwindigkeit durch Gate-Widerstände sowie zusätzliche Snubber und Filter.

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