IGBT vs. Leistungs-MOSFET: Was wofür?

Beide sind spannungsgesteuerte Leistungsschalter mit isoliertem Gate, leiten aber unterschiedlich. Ein Leistungs-MOSFET führt den Strom mit nur einer Ladungsträgerart und verhält sich wie ein Widerstand, ist also bei niedriger und mittlerer Spannung schnell und effizient. Ein IGBT fügt eine bipolare Ausgangsstufe hinzu, die das Bauelement mit Ladungsträgern überschwemmt; das hält die Durchlassverluste bei hoher Spannung und hohem Strom niedrig, verlangsamt aber das Ausschalten. Die übliche Aufteilung: MOSFETs unterhalb einiger hundert Volt oder bei hoher Frequenz, IGBTs bei hoher Spannung und Leistung.

AspektLeistungs-MOSFETIGBT
AufbauUnipolar: nur Majoritätsladungsträger, gesteuert durch ein MOS-GateMOS-Gate steuert eine bipolare Ausgangsstufe, sodass Elektronen und Löcher beteiligt sind
Typischer SpannungsbereichVon wenigen Volt bis etwa 900 V (Silizium); SiC-MOSFETs erreichen mehrere kVEtwa 600 V bis mehrere kV
DurchlassverlusteResistiv (RDS(on)); steigt mit der Spannungsklasse stark anNahezu feste Sättigungsspannung (etwa 1,5 bis 3 V); geringere Verluste bei hoher Spannung und hohem Strom
SchaltgeschwindigkeitSchnell: einige zehn oder hundert kHz und mehrLangsamer: meist bis zu einigen zehn kHz
Tail-Strom beim AusschaltenKeinerJa: gespeicherte Minoritätsladungsträger lassen kurzzeitig weiter Strom fließen
Body-DiodeEingebautKeine: Eine separate Antiparallel-Diode wird im Gehäuse ergänzt
ParallelbetriebEinfach: Der Durchlasswiderstand steigt mit der Temperatur, sodass sich der Strom verteiltMöglich, erfordert aber mehr Sorgfalt
Gate-AnsteuerungSpannungsgesteuert, mit bei jedem Schaltvorgang zu liefernder GateladungSpannungsgesteuert, typischerweise etwa 15 V
Typische AnwendungenSchaltnetzteile, DC-DC-Wandler, Ladegeräte, Motorantriebe für niedrige SpannungWechselrichter für Elektrofahrzeuge (Silizium-IGBTs), industrielle Motorantriebe, Bahnen, Schweißgeräte, Netzanlagen

Die Zahlenangaben sind typische Größenordnungen und variieren je nach Prozessgeneration und Produkt.

Wann welches einsetzen

Leistungs-MOSFET
Wenn die Schaltfrequenz hoch und die Spannung nicht zu hoch ist: Netzteile, Wandler, batteriebetriebene Motorantriebe.
IGBT
Wenn Spannung und Strom hoch und die Frequenz moderat sind: Traktionswechselrichter, Industrieantriebe, schwere Maschinen.
Trend
SiC-MOSFETs übernehmen einen Teil des IGBT-Bereichs und bieten hohe Spannung bei schnellem Schalten und geringen Verlusten.

FAQ

Wann sollte ich einen IGBT statt eines MOSFET wählen?

Bei hoher Spannung und hohem Strom (grob ab 600 V) mit moderater Schaltfrequenz, wo die niedrige und nahezu feste Durchlassspannung eines IGBT geringere Verluste ergibt.

Warum ist ein IGBT beim Ausschalten langsamer?

Gespeicherte Minoritätsladungsträger lassen nach dem Abschalten des Gates noch kurze Zeit Strom fließen. Dieser Tail-Strom begrenzt die Schaltfrequenz.

Hat ein IGBT eine Body-Diode?

Nein. Eine separate Antiparallel-Diode wird im Gehäuse ergänzt, um den Rückstrom zu führen.

Ersetzen SiC-MOSFETs die IGBTs?

Teilweise. SiC-MOSFETs bieten hohe Spannung bei schnellem Schalten und geringen Verlusten und übernehmen daher einen Teil des IGBT-Bereichs, etwa bei Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge.

Wichtige Begriffe erklärt

IGBT
Bipolartransistor mit isoliertem Gate. Er wird über ein MOS-Gate angesteuert und erreicht durch Leitfähigkeitsmodulation selbst bei hohen Sperrspannungen eine niedrige Durchlassspannung.
Leistungs-MOSFET
Ein MOSFET, der für große Ströme und Spannungen ausgelegt ist. Er schaltet schnell und wird in Netzteilschaltungen und Ähnlichem breit eingesetzt.
Superjunction-MOSFET
Leistungs-MOSFET, dessen Driftschicht abwechselnd p- und n-leitende Säulen enthält. Dadurch ist höhere Dotierung der Driftschicht ohne Einbuße an Sperrspannung möglich, und der Durchlasswiderstand liegt unter der üblichen Siliziumgrenze.
Gate-Treiber
Schaltung, die Steuersignale empfängt und das Gate eines Leistungsbauelements mit passender Spannung und ausreichendem Strom ansteuert. Viele enthalten Potentialtrennung oder Pegelwandlung, um High-Side-Schalter anzusteuern.

Weitere Vergleiche