Neue Speichertechnologien

Wie wird bei STT-MRAM Information geschrieben?

  1. AAllein durch das Magnetfeld einer externen Spule
  2. BDurch Bestrahlung mit ultraviolettem Licht
  3. CDurch Umschalten der Magnetisierung mittels Spin-Transfer-Torque eines spinpolarisierten Stroms
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Antwort: C. Durch Umschalten der Magnetisierung mittels Spin-Transfer-Torque eines spinpolarisierten Stroms

Beim STT-MRAM fließt Strom durch den MTJ, und in der Referenzschicht spinpolarisierte Elektronen übertragen Drehimpuls auf die Speicherschicht (Spin-Transfer-Torque) und kehren so die Magnetisierung um. Über die Stromrichtung werden 0 und 1 geschrieben. Frühe MRAMs, die mit externem Magnetfeld schrieben, benötigten bei kleineren Elementen größere Ströme; bei STT sinkt der Schreibstrom proportional zur Elementfläche, sodass es sich für die Skalierung eignet und heute vorherrscht.

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