Neue Speichertechnologien

Welcher Effekt, bei dem durch eine Spannung die magnetische Anisotropie der magnetischen Schicht geändert wird, wird als Methode zur Senkung der Schreibenergie von MRAM erforscht?

  1. ASeebeck-Effekt
  2. BVCMA (spannungsgesteuerte magnetische Anisotropie)
  3. CPiezowiderstandseffekt
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Antwort: B. VCMA (spannungsgesteuerte magnetische Anisotropie)

VCMA (Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy) ist ein Effekt, bei dem eine an die Grenzfläche zwischen dünner magnetischer Schicht und Isolierschicht (z. B. MgO) angelegte Spannung den Elektronenzustand der Grenzfläche und damit die Neigung der Magnetisierung zur Ausrichtung (magnetische Anisotropie) verändert. Da sich die Magnetisierungsumkehr nahezu ohne Stromfluss unterstützen lässt, erwartet man gegenüber dem stromgeschriebenen STT-Verfahren eine um ein bis zwei Größenordnungen geringere Schreibenergie. Die Zeitsteuerung, die die Umkehr genau beendet, ist eine Herausforderung.

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