Neuartige Speicher
Lernen Sie anhand von Multiple-Choice-Fragen kennen, wie neuartige Speicher wie MRAM, PCM (Phasenwechselspeicher), ReRAM und FeRAM Daten speichern.
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Die Fragen zu diesem Thema folgen in Kürze.
Neuartige Speicher: Das Wichtigste
Um die Grenzen von DRAM und Flash-Speicher zu überwinden, werden Speicher auf Basis vieler neuer Prinzipien entwickelt. Die meisten sind nichtflüchtig und speichern Information nicht als Ladung, sondern als Widerstandsunterschied oder Polarisationsrichtung.
MRAM nutzt die Magnetisierungsrichtung eines magnetischen Tunnelkontakts, PCM den Widerstandsunterschied zwischen kristalliner und amorpher Phase, ReRAM leitfähige Pfade in einem Oxid und FeRAM die Polarisation eines Ferroelektrikums. Lernen Sie, diese Prinzipien und Merkmale zu unterscheiden.