Schichtabscheidung (CVD, PVD)

Welches Abscheideverfahren wurde hauptsächlich zur Herstellung von Aluminiumleitbahnschichten verwendet?

  1. AIonenimplantation
  2. BSputtern
  3. CThermische Oxidation
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Antwort: B. Sputtern

Aluminiumleitbahnen wurden durch Sputtern abgeschieden, wobei ein Legierungstarget mit etwa 0,5 % Kupfer und früher auch Silizium mit Argonionen beschossen und die herausgeschlagenen Atome auf dem Wafer abgeschieden wurden. Kupfer erhöht die Beständigkeit gegen Elektromigration, Silizium verhindert die Reaktion (Spiking) mit dem darunterliegenden Silizium. Anschließend wird das Muster erzeugt und trocken geätzt, sodass die Leitbahnen entstehen. Ab der 0,13-µm-Generation wurden die Hauptleitbahnen durch Kupfer ersetzt.

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