什麼是目標列刷新（TRR）
列鎚攻擊的對策之一。追蹤被頻繁啟動的列，並比平常更早刷新其相鄰的列，以防止位元翻轉。內建於DRAM或記憶體控制器中。DRAM內部的實作能追蹤的列數往往有限，研究已顯示有以依序啟動許多列的方式繞過它的例子。
日文名稱: TRR(ターゲットロウリフレッシュ)
「目標列刷新（TRR）」出現在2領域的4道練習題中（硬體安全的進階主題與趨勢, DRAM等）。
這個名詞所屬的領域: 硬體安全的進階主題與趨勢
練習目標列刷新（TRR）的題目
以DRAM內部的TRR（目標列刷新）對抗列鎚攻擊的對策，在研究中曾被繞過，其理由正確的是下列何者？
- ATRR是停止刷新的機制，因此在TRR運作期間，所有列的位元反而更容易翻轉
- BTRR是先停用ECC再運作的機制，因此每次TRR運作，無法更正的錯誤就會增加，並被攻擊利用
- C能追蹤的列數有限，啟動許多列時會有被漏掉的列，而且相隔2列的列也可能發生翻轉
解析中的「目標列刷新（TRR）」
DRAM內部的TRR受電路面積的限制，許多實作只記錄少數被頻繁啟動的列，並額外刷新其相鄰的列。
以DRAM內部的TRR（目標列刷新）對抗列鎚攻擊的對策，在研究中曾被繞過，其理由正確的是下列何者？作為對策，DRAM與控制器中內建了額外更新頻繁啟動之列的相鄰列的機制（TRR、DDR5的RFM等）。
在DRAM中，短時間內多次啟動某一列，有時會使相鄰列的資料翻轉，這種現象稱為什麼？ECC是能抑制許多翻轉的有效防護層，但必須與TRR或刷新管理等防止翻轉本身發生的對策搭配使用。
「只要使用具ECC的記憶體，就不必擔心列鎚攻擊」這種想法的問題點，正確的是下列何者？過去的對策是由DRAM內部的TRR只追蹤少數列，或像DDR5的RFM那樣，由記憶體控制器計數每個記憶庫的啟動次數，再給DRAM額外的時間。
在2024年更新的DDR5規格（JESD79-5C）中加入的PRAC（逐列啟動計數），其想法正確的是下列何者？
出現「目標列刷新（TRR）」的題目（4題）
相關名詞
DRAM(動態隨機存取記憶體) 列鎚攻擊(Rowhammer) 字元線 更新(Refresh) ECC(錯誤更正碼) 指標驗證（PAC） 控制流程完整性 硬體物料清單（HBOM） 雷射故障注入 影子堆疊