硬體安全的進階主題與趨勢
以DRAM內部的TRR（目標列刷新）對抗列鎚攻擊的對策，在研究中曾被繞過，其理由正確的是下列何者？
- ATRR是停止刷新的機制，因此在TRR運作期間，所有列的位元反而更容易翻轉
- BTRR是先停用ECC再運作的機制，因此每次TRR運作，無法更正的錯誤就會增加，並被攻擊利用
- C能追蹤的列數有限，啟動許多列時會有被漏掉的列，而且相隔2列的列也可能發生翻轉
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正確答案：C. 能追蹤的列數有限，啟動許多列時會有被漏掉的列，而且相隔2列的列也可能發生翻轉
DRAM內部的TRR受電路面積的限制，許多實作只記錄少數被頻繁啟動的列，並額外刷新其相鄰的列。2020年發表的TRRespass顯示，以依序啟動許多列的方式，可使記錄追趕不上，讓未受保護的列發生位元翻轉。2021年發表的Half-Double則顯示，相隔2列的列也會翻轉，而為保護相鄰列所做的額外刷新（啟動）本身，也可能增加對更外側之列的干擾。這些結果使人們開始要求能正確計數每一列啟動次數的機制，以及整個系統的多層對策。
- A. TRR不是停止刷新，而是額外刷新被鎖定之列的相鄰列。
- B. TRR是與ECC不同的機制，不會停用ECC。
- C. 正確。能追蹤之列數的限制，以及對較遠之列的影響，兩者都已被證實。