차세대 메모리

SOT-MRAM의 특징으로 올바른 것은 무엇입니까?

  1. A빛을 조사하여 쓴다
  2. B커패시터의 전하로 기억한다
  3. C중금속층에 흘리는 전류에 의한 스핀 궤도 토크로 자화를 반전시키며, 쓰기와 읽기의 전류 경로를 분리할 수 있다
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정답: C. 중금속층에 흘리는 전류에 의한 스핀 궤도 토크로 자화를 반전시키며, 쓰기와 읽기의 전류 경로를 분리할 수 있다

SOT-MRAM은 MTJ 아래의 텅스텐이나 백금 등의 중금속층에 전류를 흘렸을 때 스핀 홀 효과로 생기는 스핀 궤도 토크로 기록층의 자화를 반전시킵니다. 쓰기 전류가 터널 장벽을 통과하지 않으므로 장벽이 열화되기 어렵고, 쓰기와 읽기 경로를 분리할 수 있으며, 1 ns 이하의 고속 쓰기도 가능합니다. 대신 셀이 3단자가 되어 면적이 커지므로, SRAM에 가까운 캐시 용도가 기대되고 있습니다.

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