在DRAM中，連續存取同一列（頁）時存取時間會縮短，其原因下列何者正確？

正確答案：C. 因為曾啟動過的列的資料保持在感測放大器中，只要切換行就能讀出

啟動列後，該列所有單元的資料會被讀出到感測放大器，並以頁的形式保持開啟。若是同一列，不必重新啟動，只要更改行位址（耗費CAS延遲的時間）即可讀出，因此比移到其他列的情況（預充電＋啟動＋行存取）更快。記憶體控制器會將對同一列的請求集中等，重新排列存取順序以增加這種頁命中（page hit）。