DRAM

DRAM 커패시터의 유전체막에 산화 지르코늄 같은 High-k 재료가 사용되는 이유로 올바른 것은?

  1. A작은 면적으로도 필요한 용량을 확보하기 위해
  2. B배선의 저항을 낮추기 위해
  3. C커패시터를 발광시키기 위해
정답과 해설 보기

정답: A. 작은 면적으로도 필요한 용량을 확보하기 위해

커패시터의 용량은 C = εA/t로 유전율에 비례합니다. 셀이 작아져도 약 10 fF 안팎의 용량이 필요하므로, SiO2(비유전율 약 3.9)보다 유전율이 높은 ZrO2(약 25~40) 같은 High-k 재료를 사용합니다. ZrO2와 Al2O3를 적층한 ZAZ 구조가 널리 쓰이며, 막은 ALD로 고종횡비 구멍의 안쪽에 균일하게 성막합니다. 다만 유전율이 높은 재료일수록 밴드갭이 작아 누설이 늘기 쉽다는 점이 과제입니다.

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