トンネルダイオード(エサキダイオード)とは
とんねるだいおーど
両側を非常に高濃度にしたPN接合で、トンネル効果によって順方向に負性抵抗の領域が現れるダイオード。1957年に江崎玲於奈が発見した。
この用語の分野: PN接合・ダイオード
とんねるだいおーど
両側を非常に高濃度にしたPN接合で、トンネル効果によって順方向に負性抵抗の領域が現れるダイオード。1957年に江崎玲於奈が発見した。
この用語の分野: PN接合・ダイオード
MOSFETのソース・ドレインや、電極との低抵抗接触、トンネルダイオードの高濃度領域がその例です。
不純物濃度が非常に高く、フェルミ準位が伝導帯や価電子帯の中に入り込んだ半導体を何と呼ぶか。トンネルダイオードは、両側を縮退するほど高濃度にしたPN接合で、空乏層が非常に薄いため順方向の低い電圧でトンネル電流が流れます。
両側を非常に高濃度にしたPN接合で、順方向電圧を上げると電流が減る負性抵抗の領域が現れるダイオードはどれか。フェルミ準位 縮退半導体 バンドギャップ 空乏層 オーミック接触 拡散容量 逆回復時間 順方向バイアス ショットキーバリアダイオード 接合容量(空乏層容量)