PN接合・ダイオード
ダイオードの電流の式 I ∝ exp(qV / nkT) の理想係数nが2に近くなるのは、主にどのような電流が支配的なときか。
- A中性領域での少数キャリアの拡散電流
- B空乏層内での再結合電流
- Cトンネル電流
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正解：B. 空乏層内での再結合電流
少数キャリアの拡散電流が支配的なときは n ≈ 1 ですが、空乏層内で欠陥準位を介して起こる再結合電流が支配的になると n ≈ 2 に近づきます。シリコンダイオードでは、電流の小さい領域で再結合電流が目立ち、nが大きくなる傾向があります。
- A. 拡散電流が支配的なときは n ≈ 1 です。
- B. 正しい。空乏層内の再結合電流では n ≈ 2 になります。
- C. トンネル電流は exp(qV/nkT) の形の温度依存性に従いません。