다이오드의 전류식 I ∝ exp(qV / nkT)에서 이상 계수 n이 2에 가까워지는 것은 주로 어떤 전류가 지배적일 때인가?

정답: B. 공핍층 내에서의 재결합 전류

중성 영역에서의 소수 캐리어 확산 전류가 지배적이면 n ≈ 1이지만, 공핍층 내에서 결함 준위를 통한 재결합 전류가 지배적이 되면 n ≈ 2에 가까워집니다. 재결합 전류는 exp(qV/2kT)에 비례하기 때문입니다. 실리콘 다이오드에서는 저전류 영역에서 재결합 전류가 두드러집니다. 반대수 I-V 특성에서 n을 구하면 결함의 많고 적음이나 제조 품질의 기준이 되며, 태양전지 평가에도 사용됩니다.

• A. 확산 전류가 지배적일 때는 n ≈ 1입니다.
• B. 올바릅니다. 공핍층 내 재결합 전류에서는 n ≈ 2가 됩니다.
• C. 터널 전류는 exp(qV/nkT) 형태의 온도 의존성을 따르지 않습니다.