Halfgeleider met een grotere bandgap dan silicium, zoals SiC en GaN. Heeft een hoog doorslagveld en is geschikt voor werking bij hoge spanning en hoge temperatuur.
Japanse benaming: ワイドバンドギャップ半導体
“Halfgeleider met brede bandgap (wide-bandgap)” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Vermogenshalfgeleiders.
Vakgebied: Verbindingshalfgeleiders
Antwoord: A. Halfgeleiders met brede bandkloof (wide bandgap)
Halfgeleiders met een bandkloof van ruwweg 3 eV of meer worden wide-bandgap-halfgeleiders genoemd, met SiC (ca. 3,3 eV) en GaN (ca. 3,4 eV) als voornaamste voorbeelden. Ze hebben een hoog kritiek doorslagveld en weinig intrinsieke ladingdragers, waardoor ze ook bij hoge temperatuur gemakkelijk werken, en worden gebruikt voor vermogenscomponenten met hoge doorslagspanning en laag verlies en voor hoogfrequente componenten. Nog bredere materialen zoals Ga2O3 (ca. 4,8 eV) en diamant (ca. 5,5 eV) heten ultra-wide-bandgap-halfgeleiders.
Halfgeleiders met een bandkloof van ruwweg 3 eV of meer worden wide-bandgap-halfgeleiders genoemd, met SiC (ca.
Wat is de verzamelnaam voor halfgeleiders met een grotere b…Bandgap (bandkloof) SiC (siliciumcarbide) GaN (galliumnitride) Ga2O3 (galliumoxide) Directe bandovergang (direct bandgap) Efficiency droop GaAs (galliumarsenide) HEMT (high electron mobility transistor) III-V-verbindingshalfgeleider InP (indiumfosfide)