Nederlands
Menu

Vermogenshalfgeleiders

Wat is de verzamelnaam voor halfgeleiders met een grotere bandkloof dan silicium, zoals SiC en GaN?

  1. AHalfgeleiders met brede bandkloof (wide bandgap)
  2. BHalfgeleiders met smalle bandkloof
  3. CAmorfe halfgeleiders
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Halfgeleiders met brede bandkloof (wide bandgap)

Halfgeleiders met een bandkloof van ruwweg 3 eV of meer worden wide-bandgap-halfgeleiders genoemd, met SiC (ca. 3,3 eV) en GaN (ca. 3,4 eV) als voornaamste voorbeelden. Ze hebben een hoog kritiek doorslagveld en weinig intrinsieke ladingdragers, waardoor ze ook bij hoge temperatuur gemakkelijk werken, en worden gebruikt voor vermogenscomponenten met hoge doorslagspanning en laag verlies en voor hoogfrequente componenten. Nog bredere materialen zoals Ga2O3 (ca. 4,8 eV) en diamant (ca. 5,5 eV) heten ultra-wide-bandgap-halfgeleiders.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Vermogenshalfgeleiders

  1. Wat is de juiste hoofdtaak van een gatedriver voor vermogenshalfgeleiders?
  2. Wat is de belangrijkste reden dat bij vermogenscomponenten de “normally-off”-eigenschap, waarbij geen stroom vloeit bij een gatespanning van 0 V, vereist is?
  3. Wat is het belangrijkste voordeel van een SiC-Schottkydiode als vrijloopdiode in bijvoorbeeld omvormers?
  4. Welke uitspraak over de kenmerken van een thyristor is juist?
  5. Wat is het belangrijkste doel van het gebruik van een isolerend substraat (zoals een keramisch substraat) onder de vermogenschip in een vermogensmodule voor groot vermogen?

Vergelijkingen bij dit onderwerp