Verschijnsel in InGaN-LED's waarbij de lichtopbrengst juist daalt als de stroom groter wordt. Als oorzaken worden onder meer Auger-recombinatie genoemd.
Japanse benaming: 効率ドループ
“Efficiency droop” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Verbindingshalfgeleiders.
Vakgebied: Verbindingshalfgeleiders
Antwoord: A. Efficiency droop
De lichtefficiëntie van InGaN-gebaseerde LED's is maximaal bij een relatief kleine stroomdichtheid van enkele A/cm² en neemt af bij toenemende stroom. Dit heet efficiency droop; als belangrijkste oorzaken gelden Auger-recombinatie, die met de derde macht van de ladingsdragerdichtheid toeneemt, en het weglekken van elektronen over de actieve laag heen. Bij verlichting met hoog vermogen wordt de stroomdichtheid verlaagd door grotere chips te gebruiken of er veel naast elkaar te plaatsen. Ook laserverlichting met weinig droop wordt onderzocht.
Dit heet efficiency droop; als belangrijkste oorzaken gelden Auger-recombinatie, die met de derde macht van de ladingsdragerdichtheid toeneemt, en het weglekken van elektronen over de actieve laag heen.
Hoe heet het verschijnsel dat bij InGaN-gebaseerde LED's de…Auger-recombinatie Directe bandovergang (direct bandgap) Ga2O3 (galliumoxide) GaAs (galliumarsenide) GaN (galliumnitride) Halfgeleider met brede bandgap (wide-bandgap) HEMT (high electron mobility transistor) III-V-verbindingshalfgeleider InP (indiumfosfide) Legeringshalfgeleider (mengkristal)