Semi-conducteur dont la bande interdite est plus large que celle du silicium, comme SiC ou GaN. Champ de claquage élevé, adapté au fonctionnement à haute tension et haute température.
Nom japonais: ワイドバンドギャップ半導体
« Semi-conducteur à large bande interdite » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Physique des semi-conducteurs.
Domaine: Semi-conducteurs composés
Réponse : B. Environ 1,12 eV
La bande interdite du silicium vaut environ 1,12 eV à température ambiante, ce qui fixe la limite supérieure des longueurs d'onde absorbables à environ 1,1 µm (1240 ÷ 1,12). Environ 0,66 eV correspond au germanium, dont la faible bande interdite favorise l'augmentation du courant de fuite à haute température ; environ 3,4 eV correspond au GaN, semi-conducteur à large bande interdite adapté à la haute tension, au fonctionnement à haute température et aux LED bleues. Le silicium, intermédiaire, est devenu le matériau principal des LSI, d'autant qu'il permet de former un oxyde thermique (SiO2) de bonne qualité.
Environ 0,66 eV correspond au germanium, dont la faible bande interdite favorise l'augmentation du courant de fuite à haute température ; environ 3,4 eV correspond au GaN, semi-conducteur à large bande interdite adapté à la haute tension, au fonctionnement à haute température et aux LED bleues.
Quelle valeur est la plus proche de la bande interdite du s…Bande interdite (bandgap) GaN (nitrure de gallium) Chute d'efficacité (efficiency droop) Ga2O3 (oxyde de gallium) GaAs (arséniure de gallium) Gap direct Gaz bidimensionnel d'électrons (2DEG) HEMT (transistor à haute mobilité électronique) InP (phosphure d'indium) Loi de Vegard